2026年6月5日：韩国浦项科技大学研发新型接触结构 破解超薄半导体性能与漏电矛盾

2026-08-15 10:08:29来源：互联网

2026年6月5日，韩国浦项科技大学的研究团队带来了半导体领域的一项关键突破——针对超薄碲晶体管的金属—半导体接触结构进行创新性重新设计，成功攻克了芯片超薄化进程中长期存在的“器件越薄越难导电”的结构性难题，实现了低漏电与高性能的双重兼顾，为下一代高密度半导体芯片的研发铺平了道路。

近年来，随着半导体技术的不断迭代，芯片小型化、高密度化已成为行业发展的核心趋势。为了满足摩尔定律的推进要求，芯片内部的各类组件都在向着极限超薄化方向发展：从晶圆到晶体管，每一个结构层的厚度都被压缩到极致，以此在有限的空间内集成更多功能单元，提升芯片的运算效率。然而，这一趋势却带来了难以调和的技术矛盾：当器件厚度不断降低时，其导电性能会随之大幅下降，电流难以顺畅通过超薄结构；同时，漏电风险也会显著提升，不仅会增加芯片功耗，还可能影响器件的稳定性和使用寿命。此前，行业内的解决方案往往只能在“高性能”与“低漏电”之间二选一，无法实现两者的平衡，这也成为制约超薄半导体技术进一步发展的核心瓶颈。

针对这一难题，韩国浦项科技大学的研究团队没有局限于材料本身的性能优化，而是将目光聚焦在金属与半导体的接触界面上。他们发现，在超薄结构中，金属与半导体的接触电阻是导致导电效率下降、漏电风险上升的关键因素——传统的接触结构在器件变薄后，界面处的电子传输通道会被大幅压缩，电子流动受阻的同时，电荷泄漏的概率也随之增加。基于这一核心发现，团队重新设计了接触结构的形态与界面原子排布方式，开发出一套能够大幅降低接触电阻的新技术。通过对接触界面的精准调控，电子可以更顺畅地在金属与半导体之间完成传输，既保证了器件的高性能导电能力，又从结构层面有效抑制了漏电现象的发生。

这项新技术的核心优势在于实现了“鱼与熊掌兼得”：在维持碲晶体管超薄形态的前提下，既解决了超薄化带来的导电困难问题，又将漏电水平控制在行业认可的极低范围。对于半导体行业而言，这一突破具有重要的现实意义：它打破了长期以来超薄化与性能、功耗之间的制约关系，为高密度芯片的研发提供了全新的技术路径。未来，基于这项技术的超薄半导体器件有望广泛应用于智能手机、人工智能终端、高性能计算设备等多个领域，让设备在保持轻薄便携形态的同时，拥有更快的运行速度和更低的能耗，进一步推动电子设备的智能化与轻量化发展。

半导体行业的发展始终围绕着“性能提升”与“功耗降低”两大核心目标，而超薄化则是实现这一目标的重要路径之一。此次韩国浦项科技大学团队的研究成果，为超薄半导体技术的发展找到了新的突破口，也为行业内的后续研究提供了可借鉴的方向。随着相关技术的不断成熟与落地，我们有望看到更多兼具高性能与低功耗的超薄半导体产品问世，推动整个电子信息产业迈向新的发展阶段。