2026年6月：韩国浦项科技大学研发新型超薄碲晶体管结构 实现低漏电与高性能双重突破

2026-08-02 10:52:57来源：互联网

2026年6月5日，韩国浦项科技大学研究团队对外公布一项半导体领域的关键技术成果——针对超薄半导体器件“越薄越难导电”的行业痛点，重新设计了碲晶体管的金属-半导体接触结构，成功在保持器件超薄形态的同时，兼顾了低漏电特性与高性能表现，为下一代半导体芯片的研发突破提供了核心解决方案。

近年来，随着全球半导体产业向更高集成度、更低功耗方向快速推进，芯片内部各组成部分的极限超薄化已经成为行业核心研发方向。更薄的器件不仅能大幅提升芯片的集成密度，还能有效降低运行功耗，满足智能手机、人工智能算力平台、物联网终端等设备对小型化、节能化的迫切需求。但在技术推进过程中，一个难以破解的结构性矛盾逐渐凸显：当器件厚度缩减到纳米级甚至更小时，金属与半导体接触区域的电阻会急剧升高，导致电流传输效率大幅下降，同时还容易出现严重的漏电问题。此前行业内的解决方案往往只能顾此失彼，要么牺牲漏电控制来提升导电性能，要么降低性能以维持低漏电状态，始终无法实现两者的平衡。

浦项科技大学的研究团队跳出传统的材料替换或工艺优化思路，从金属-半导体接触结构的底层设计入手，针对碲这种新型半导体材料的特性，重新构建了接触界面的原子排布与电子传输路径。通过对接触区域的精准调控，团队成功大幅降低了接触电阻，让电流能够在超薄器件中顺畅传输；同时，优化后的结构还能有效约束电子的无序流动，将漏电风险控制在极低水平。不同于以往的技术改进，这项成果并非简单调整现有结构的参数，而是从根本上重构了接触界面的物理形态，彻底打破了超薄器件“导电难”与“漏电高”的两难困境。

这项技术的核心价值在于首次实现了超薄半导体器件低漏电与高性能的兼顾，为下一代低功耗高性能芯片的研发扫清了关键障碍。碲作为一种具有优异光电特性的新型半导体材料，此前因接触电阻过高的问题一直未能得到广泛应用，此次结构设计的突破，不仅让碲晶体管的性能潜力得到充分释放，也为其他新型半导体材料的超薄化应用提供了可借鉴的技术路径。未来，基于这项技术研发的超薄芯片，有望在保持甚至提升算力的同时，将功耗降低30%以上，为各类智能设备的续航能力、运行稳定性带来质的提升。

当前，全球半导体产业正处于技术升级的关键节点，摩尔定律的推进面临诸多物理极限挑战，超薄化瓶颈正是其中最核心的难题之一。浦项科技大学的这项研究成果，为行业提供了全新的研发思路，证明通过底层结构的创新设计，能够突破传统技术无法解决的结构性矛盾。业内人士普遍认为，这项技术的问世，将推动全球半导体产业向更极限的超薄化方向迈进，加速下一代高性能低功耗芯片的商业化进程，为全球数字经济的发展注入新的动力。