SEMICON China 2025上海收官 英飞凌以SiC、GaN技术驱动产业低碳数字化转型

2026-05-07 20:23:02来源：互联网

刚刚在上海落下帷幕的SEMICON China 2025，集结了全球半导体产业链上下游的企业、专家与从业者，围绕“跨界全球•心芯相联”主题，深入探讨芯片设计、制造、封测、设备及材料等全环节的技术突破与创新趋势。作为行业核心参与者，英飞凌科技在展会同期首次设立的“亚洲化合物半导体大会（CS Asia）”上，分享了宽禁带半导体技术的落地路径与未来布局。 英飞凌科技高级副总裁、氮化镓业务负责人Johannes Schoiswohl在大会开幕主题演讲中，以《下一代功率半导体（SiC和GaN）：实现低碳化与数字化世界》为题，从行业痛点、系统价值到生态协同，全方位拆解了SiC与GaN技术在推动产业转型中的核心作用。 Johannes Schoiswohl指出，尽管SiC与GaN技术已日趋成熟，但行业仍需突破三大关键瓶颈。其一，下游客户对多元化供应商的需求日益迫切，但当前宽禁带半导体领域的封装方案多为厂商独有，缺乏统一标准，限制了第二供应源的拓展。对此，英飞凌正联合行业伙伴推进封装设计标准化，为客户搭建更稳定的供应链体系。其二，成本偏高仍是宽禁带半导体规模化落地的阻碍。英飞凌提出，通过300毫米晶圆量产工艺，可大幅压缩制造成本；按照行业预期，未来3至5年内，SiC、GaN器件的成本将逐步向硅基器件靠拢，为更多应用场景的商业化铺平道路。其三，部分客户对SiC、GaN器件的长期可靠性仍有顾虑。英飞凌已投入大量资源开展严格的测试与验证工作，确保旗下宽禁带半导体产品的质量与使用寿命达到甚至超越硅基器件水平。 针对宽禁带半导体的系统级价值，Johannes Schoiswohl从多个应用场景展开了具体阐述。在AI与高性能计算领域，下游对算力的需求持续攀升，单机架算力已向1兆瓦级迈进，能效与安全性成为核心考量指标。延伸至车载充电器（OBC）领域，提升能量转换效率、降低损耗，将直接压缩电动车的综合使用成本。在消费电子领域，产品正朝着小型化、统一化方向迭代，GaN器件凭借高能效与低系统成本优势，成为下一代适配器设计的核心技术选项。 从系统层面看，GaN与SiC的优势更为凸显：GaN在开关损耗等关键性能指标上优于硅与SiC；更高的功率密度能打造更紧凑高效的电力转换系统；单级AC-DC拓扑等设计可减少元件数量，简化系统架构并降低整体成本。以车载充电器为例，传统架构采用AC-DC到DC-AC的双级转换模式，而基于GaN的新型单级拓扑可大幅降低能量损耗，同时减少元件用量；集成双向开关等设计，进一步实现了成本与性能的双重优化。 在量产层面，300毫米晶圆工艺的推进为成本优化提供了支撑。目前已有85%的300毫米晶圆工艺可复用现有硅基产线设备，这不仅能有效降低生产成本，还能提升整体生产效率。而要充分释放GaN与SiC的技术潜力，更需要PCB、被动元件、驱动电路及控制器等全产业链环节的协同配合。英飞凌通过提供参考设计与技术支持，帮助客户快速适配新拓扑与设计方法，加速产业落地进程。 未来，英飞凌将持续深耕SiC与GaN技术研发，携手全球产业伙伴共同推动能源变革与数字化发展，助力行业迈向更加可持续的低碳化、数字化未来。